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高科技牛了,大功率晶圓測試被搞定了!

返回列表 來源:半導體行業觀察 瀏覽: 發布日期:2021-03-16 09:57【
文章導讀:當下,高電壓/電流市場是目前半導體應用中增長最快的領域之一。在電動化和可再生能源發展的推動下,新一代電力電子器件也同時在推動MOSFET和IGBT的發展,這也帶動了碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)等其它新基質的日益普及。
        當下,高電壓/電流市場是目前半導體應用中增長最快的領域之一。在電動化和可再生能源發展的推動下,新一代電力電子器件也同時在推動MOSFET和IGBT的發展,這也帶動了碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)等其它新基質的日益普及。
 
高科技
 
        作為高電子遷移率晶體管(HEMT)之一的氮化镓GaN。與其它基於矽的MOSFET器件相比,它的優勢顯著體現在禁帶寬大、開關切換時間極短、更高的功率密度和擊穿電壓,以及更好的熱導率。如今,它被廣泛應用於電力電子領域,如手機快速充電器、軍用雷達設備、高速軌道交通和5G網絡等。
 
        與GaN一樣,SiC也具備高電壓和高溫的特點,但由於其壓敏電阻特點,在600V或更高電壓上,與GaN相比則有更好的表現。作為第一個成功商業化的寬禁帶半導體SiC,從2018年被應用到特斯拉汽車上以來,混合動力汽車和電動汽車以及充電站便成為了SiC功率半導體市場快速增長的主要動力。
 
        隨著SiC/GaN 器件技術的成熟, 以及其成本的不斷降低,SiC/GaN 器件有望加速滲透。根據 Yole 預測,2023 年 SiC、GaN 電力電子器件的市場規模將分別增長至 14 億和 3.7 億美元,市場滲透率分別達到 3.75%和1%。GaN 射頻器件在 5G 宏基站建設和國防建設的旺盛需求下,疊加 GaN 射頻器件成本下降,需求有望快速放量,根據 Yole 數據預測,2023 年 GaN 射頻器件需求量將達到 194.3 百萬個,19- 23 年 CAGR 達到 85.8%。
 
        在科技迅猛發展的大背景下,電力電子世界一直被視為一個較為保守的領域,SiC和GaN的出現,不僅開啟了電力市場的新篇章,也為晶圓測試行業帶來了新的考驗。如何在滿足大功率測試需求的同時,保持溫度的穩定和準確性,以確保良率,是每個設計工程師都需要考慮的問題。
        半導體測試環節最重要的裝備之一就是探針台,在測試過程中,晶圓被輸送到溫度卡盤上,使晶圓上的晶粒依次與探針接觸並逐個測試。經過檢測,探針台將參數不符合要求的芯片記錄下來,在進入後序的工藝流程之前予以剔除。在這個過程中,對測試環境起到決定性作用的便是和晶圓親密接觸的溫度卡盤。
        與普通的測試環境相比,除了需要保證寬泛的測試溫度範圍、卡盤溫度的均勻性和穩定性等,高電壓/電流的特殊測試環境也為卡盤的設計增加了更多新的挑戰。例如,在大電流的測試環境下,較大的接觸電阻會加速晶圓溫度升高,如果熱量不能得到及時分散,晶圓就有被損壞的危險,那麽在設計溫度卡盤的時候就必須首先要考慮如何最小化接觸電阻,保證RDS(on)的精準測量。其次還需要確保在高壓環境下低漏電,以避免擊穿的發生。另外,卡盤還需靈活應對一些特殊類型的晶圓, 如薄晶圓、Taiko等。
 
        在高電壓測試和超低噪聲晶圓針測方麵積累了超過15年經驗的ERS electronic,針對高電壓/電流的測試環境,設計了一款可以保證在高達一萬伏的高壓下超低漏電、避免擊穿,並同時兼具寬泛的溫度測試範圍(-55°C到+300°C)的卡盤。它的問世,很好的解決了高電壓/電流的背景下,晶圓測試領域所麵臨的諸多難題。

        本文來源:半導體行業觀察
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