晶圓表麵等離子處理的原理
文章導讀：91视频网站免费是通過等離子體的作用來去除晶圓表麵的汙染物和殘留物。等離子體是一種高能離子，具有很強的化學反應性和機械作用力。當等離子體與晶圓表麵接觸時，會發生化學反應和物理作用，從而去除表麵的汙染物和殘留物。
為什麽要去除光刻膠？
眾所周知，光刻膠是半導體晶圓製造的核心材料。在晶圓製程中，光刻工藝約占整個晶圓製造成本的35%，耗時占整個晶圓工藝的40-50%，是半導體製造中最核心的工藝。
在光刻環節裏有個不可或缺的步驟就是晶圓去膠，光刻膠在完成圖形複製和傳遞作用後，晶圓表麵剩餘光刻膠需要通過去膠工藝進行完全清除。
91视频下载安装污的工作原理
其中91视频下载安装污的工作原理是，在真空狀態下，處理腔室中的壓力會越來越小，分子間距增加，導致分子間相互的力變小，而在這種情況下利用高頻電源產生的高壓交變電場會將氧氣、氫氣、氬氣、四氟化碳等工藝氣體震蕩成具有高反應活性或高能量的等離子體，然後與有機汙染物及微顆粒汙染物反應或碰撞，以此形成揮發性物質，然後有工作氣體流及真空泵將這些揮發性物質清除出去，從而達到等離子表麵清潔、活化等目的。（雙腔體等離子處理機）
1、表麵清潔
在先進封裝中，PI膠或光刻膠經濕法去膠後，表麵仍然殘留一定的較薄的膠層；而在凸點工藝結束後，需要將下金屬層UBM多餘的部分用濕法刻蝕除去，但是濕法去除並不徹底。通常使用O2 Plasma來去除殘膠，用Ar離子轟擊除去殘留金屬。
2、提高結合力
等離子轟擊晶圓表麵，可以對表麵進行粗化，增加表麵的粗糙度。另一方麵對晶圓表麵進行改性，這兩個措施都能提高基材與沉積膜層的結合力。
3、改善潤濕性
使用等離子處理後的材料，增加了表麵的極性基團，親水性提升，接觸角減小。
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